Friday 11 September 2020

Gateway to Ham Radio (old Malayalam articles) chapter - 7

അദ്ധ്യായം -7 ലോ പവർ AM ട്രാൻസ്മിറ്ററുകൾ

ഒരോഡിയോ ആമ്പ്ലിഫയർ രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുന്ന അതേ ലാഘവത്തോടെ കൈകാര്യം ചെയ്യാവുന്ന ഒന്നല്ല റേഡിയോ ഫ്രീക്വൻസി ഓസിലേറ്ററുകൾ. 

ഇൻഡക്റ്റീവ് ഫീഡ് ബാക്ക് രീതിയിലുള്ള Hartley Style എളുപ്പം ഓസിലേറ്റ് ചെയ്യുമെങ്കിലും HF റേഞ്ചിൽ താരതമ്യേന സ്ഥിരത കുറവായതു കൊണ്ട് Colpitt's Style ലുള്ള കപ്പാസിറ്റീവ് ഫീഡ് ബാക്ക് സർക്യുട്ടൂകളാണ് നാം പൊതുവേ ഉപയോഗിക്കാറ്. 

Colpitt's Style ൽ തന്നെ പാരലൽ റ്റ്യുൺഡ്, സീരീസ് റ്റ്യുൺഡ് എന്നിങ്ങനേയും രണ്ടു രീതികളുണ്ട്. ഈ മൂന്നു രീതികളും ചിത്രം C-7/A, C-7/B, C-7/C എന്നീ ചിത്രങ്ങളിലായി കാണിച്ചിരിക്കുന്നു.   

ഒരു റ്റ്യുൺഡ് സർക്യുട്ടിന്റെ 'Q' ഫാക്റ്റർ നിശ്ചിത രീതിയിൽത്തന്നെ ആയിരിക്കുവാൻ ഓരോ ഫ്രീക്വൻസിയിലും കോയിലിന് നിശ്ചിത ഇൻഡക്റ്റൻസ് ഉണ്ടായിരിക്കണം. കോയി ലിന്റെ  നിർദ്ദേശിക്കപ്പെട്ടിരിക്കുന്ന ഇൻഡക്റ്റൻസിൽ, നാമുദ്ദേശിക്കുന്ന ഫ്രീക്വൻസിക്ക് സർക്യുട്ട് റസൊണേറ്റഡ് ആയിരിക്കാൻ, ആ ഫ്രീക്വൻസിയിൽ കോയിൽ എത്ര ഓംസ് ഇൻഡക്റ്റീവ് റിയാക്റ്റൻസ് (Xl) പ്രയോഗിക്കുമോ അത്രയും ഓംസ് കപ്പാസിറ്റീവ് റിയക്റ്റൻസ് (Xc) ആ ഫ്രീക്വൻസിക്കുണ്ടാകുന്ന മൂല്യത്തിലുള്ള കപ്പാസിറ്ററാണ് ആ സർക്യൂട്ടിനു വേണ്ടി തിരഞ്ഞെടുക്കേണ്ടത്. ഏതു തരം കോറിലാണ് കോയിൽ നിർമ്മിക്കുന്നത് എന്നതിനെ അടിസ്ഥാനമാക്കി ചുറ്റുകളുടെ എണ്ണം വ്യത്യാസം വരുമെന്നു മാത്രം. ചുറ്റുകളുടെ എണ്ണം കൂടിയിരുന്നാൽ ചുറ്റുകൾ തമ്മിലുണ്ടാവുന്ന കപ്പാസിറ്റൻസ് വർദ്ധിക്കും. ചൂടിനോട് അതിവേഗം പ്രതികരിക്കുന്ന കോറുകളുപയോഗിച്ചാൽ ഇൻഡക്റ്റൻസിനു വ്യത്യാസം വരും.  റേഡിയോ ഫ്രീക്വൻസിക്ക് കോർ എന്തുമാത്രം തടസ്സം കൊടുക്കുന്നുവെന്നതും നിർണ്ണായകമാണ്. ഒരു കോയിലിന്റെ വയന്റിങ് ലെങ്ത്തും ഡയമീറ്ററും തുല്യമായിരിക്കുന്നത് അതിന്റെ സ്റ്റബിലിറ്റി വർദ്ധിപ്പിക്കുന്ന ഒരു ഘടകമാണ്. 80 മീറ്റർ, 160 മീറ്റർ VFO കൾക്ക് ടൊറോയിഡുകളും,  IFT ടൈപ്പ് കോയിലുകളും ഉപയോഗിക്കാമെങ്കിലും 7Mhzനു മുകളിലേക്ക് പോഴ്സലൈൻ ഫോർമറിൽ (Porcelyne former) ചുറ്റിയ എയർകോർ കോയിലാണുത്തമം.  ഏതു തരം കോയിലാണെങ്കിലും VFO ക്കുപയോഗിക്കുമ്പോൾ, ചുറ്റുകളും കോയിലും ചലിക്കാത്ത രീതിയിൽ ഉറപ്പിച്ചിരിക്കണമെന്നു മാത്രമല്ല, ആക്റ്റീവ് ഘടകങ്ങളിൽ നിന്നും ക്യാബിനെറ്റ് ബോക്സ് വശങ്ങളിൽ നിന്നും ഒരു കോയിൽ വ്യാസമെങ്കിലും അതകന്നിരിക്കുകയും വേണം. കോയിലുകൾ മെഴുകുകൊണ്ടോ, പ്രത്യേകതരം ഇൻസുലേറ്റിങ് വാർണിഷ് കൊണ്ടോ പൊതിയുന്നത് നന്നായിരിക്കും. കോയിൽ നിർമ്മിക്കാനുള്ള കമ്പിയുടെ ഗേജ് നിർണ്ണയിക്കുമ്പോൾ HF റേഞ്ചിലുണ്ടാവുന്ന സ്കിൻ എഫക്റ്റും കണക്കിലെടുക്കേണ്ടതുണ്ട്.



റ്റ്യൂൺഡ്  സർക്ക്യുട്ടിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന കപ്പാസിറ്ററുകൾ, കുറഞ്ഞ ടോളറൻസും കൂടുതൽ ഗുണമേന്മയും ഉള്ളവയായിരിക്കണം. സിൽവർ മൈക്കാ, പോളിസ്റ്ററിൻ കപ്പാസിറ്ററുകളാണ് കൂടുതലായും തിരഞ്ഞെടുക്കപ്പെടുന്നതെങ്കിലും, ഫിലിപ്സ് ഡിസ്ക് കപ്പാസിറ്ററുകളും നിലവാരമുള്ള സ്റ്റൈറോഫ്ലക്സ് കപ്പാസിറ്ററുകളും ഉപയോഗിക്കാം. RF ഓസിലേറ്ററുകളിൽ കപ്പാസിറ്റർ ചെറുതായി ചൂടാവുന്നത് സർക്യുട്ടിന്റെ സ്റ്റബിലിറ്റിയെ ബാധിക്കുന്ന ഒരു ഘടകമാണ്. RF ഹീറ്റിങ് എന്ന ഈ കുഴപ്പം ഒഴിവാക്കാൻ കൂടുതൽ എണ്ണം കപ്പാസിറ്ററുകൾ റ്റ്യൂൺഡ് സർക്ക്യൂട്ടിൽ ഉപയോഗിക്കാറുണ്ട്. ചിത്രം C-7/2 വിൽ കൂടുതൽ കപ്പാസിറ്ററുകൾ ഉപയോഗിച്ച് RF ഹീറ്റിങ് കുറയ്കുന്നതെങ്ങിനെയെന്നു കാണിച്ചിരിക്കുന്നു. ബ്രായ്കറ്റിൽ യഥാർത്തിൽ ഉണ്ടായിരിക്കേണ്ട കപ്പാസിറ്റൻസ് കാണിച്ചിരിക്കുന്നു. 

ചിത്രം C-7/2 വിൽ ഓസിലേറ്റർ ട്രാൻസിസ്റ്റർ ഗേറ്റിൽ ഒരു 1N 4148 ഡയോഡ് കണക്റ്റ് ചെയ്തിരിക്കുന്നതു ശ്രദ്ധിക്കുക. ഓസിലേറ്റ് ചെയ്യുന്ന സൈൻ വേവിന്റെ (sine wave) പോസിറ്റീവ് സ്വിങ് ഏതാണ്ട് .7 V ആയി കുറക്കുക മാത്രമല്ല, ഗേറ്റിൽ ഒരു ബയസ് ക്ലാമ്പ് ആയി 1N 4148 പ്രവർത്തിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. അങ്ങിനെ, സൈൻ വേവിന്റെ പോസിറ്റീവ് പകുതിയിൽ FET യുടെ ട്രാൻസ് കണ്ടക്റ്റൻസ് നിയന്ത്രിക്കപ്പെടുകയും ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ ജംങ്ക്ഷൻ റസിസ്റ്റൻസിൽ വ്യത്യാസം വരുന്നതു കുറയുകയും ചെയ്യുന്നു. ഹാർമ്മോണിക് ജനറേഷൻ കുറക്കാനും സ്ഥിരത കൂട്ടാനും ഈ ഡയോഡിന്റെ പ്രവർത്തനം സഹായിക്കും. 

കുറഞ്ഞ നോയിസ് ലെവൽ, കൂടിയ ഡൈനാമിക് റേഞ്ച്, തൃപ്തികരമായ ഇൻപുട്ട് - ഔട്ട് പുട്ട് ഐസൊലേഷൻ, കൂടിയ ഇൻപുട്ട് - ഔട്ട് പുട്ട് ഇമ്പിഡൻസ്, നല്ല സ്ഥിരത ഇവയൊക്കെ സവിശേഷതകളായുള്ള ഫീൽഡ് എഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളാണ് (FET) RF ഓസിലേറ്ററുകളിൽ മെച്ചം. ഒരു ബൈപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്ററിൽ Emiter-Collector കറണ്ട് നിശ്ചയിക്കുന്നത് ബേസിലുണ്ടാവുന്ന കറണ്ടിന്റെ ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകളാണെങ്കിൽ FETകളിൽ കറണ്ട് പ്രവാഹം 'ഗേറ്റ്' എലമെന്റിൽ ലഭിക്കുന്ന വോൾട്ടേജിനനുസരിച്ചായിരിക്കും എന്നതാണു രണ്ടും തമ്മിലുള്ള അടിസ്ഥാന വ്യത്യാസം. FET കൾ Junction Field Effect Traansistor (JFET), Metal Oxide Field Effect Transistor (MOSFET) എന്നിങ്ങനെ രണ്ടു തരത്തിലുള്ളവ ഉപയോഗിക്കപ്പെടുന്നുണ്ട്. MOSFET കളിൽ ഗേറ്റ്, ഡ്രയിൻ, സോഴ്സ് എലമെന്റുകൾ എന്നിവ നേരിയ ഇൻസുലേറ്ററുകൾ കൊണ്ട് വേർതിരിക്കപ്പെട്ടിട്ടുണ്ടെന്നു മാത്രമല്ല സ്റ്റാറ്റിക് ചാർജ്ജുകൾ ട്രാൻസിസ്റ്ററിനെ ബാധിക്കാതിരിക്കാൻ ഗേറ്റ് പ്രോട്ടക്റ്റർ സർക്യുട്ടും ഉണ്ട്.

JFET കൾ ബോർഡിൽ ഉറപ്പിക്കുമ്പോഴും പിന്നീട് പരിശോധിക്കുമ്പോഴുമെല്ലാം ബോർഡിലേക്ക്കുള്ള പവർ സപ്ലൈയുടെ നെഗറ്റീവും പോസിറ്റീവും കണക്ഷനുകൾ വിശ്ചേദിച്ചിരിക്കണം; പരിശോധിക്കാൻ ഉപയോഗിക്കുന്ന മീറ്റർ 3 വോൾട്ടിനു മുകളിൽ പ്രവർത്തിപ്പിക്കുന്നതാകരുതു താനും. അതുപോലെ, ലീഡുകൾ സോൾഡർ ചെയ്യ്യുമ്പോൾ അയൺ, പ്ലഗ്ഗ് സോക്കറ്റിൽ നിന്നു വേർപെടുത്തുന്നതും നല്ലതാണ്. MOSFET കളുടെ കാര്യത്തിൽ അത്രയും മുൻകരുതൽ ആവശ്യമില്ല. FET കൾ മൗണ്ട് ചെയ്യാനും നിർമ്മാതാക്കൾ നൂതന മാർഗ്ഗങ്ങൾ അവലംബിക്കാറുണ്ട്. FET യുടെ ലെഗ്ഗുകൾ മാത്രം കടന്നുപോകത്തക്ക വലുപ്പത്തിൽ ബോർഡിൽ ദ്വാരങ്ങളുണ്ടാക്കി FET യുടെ ബോഡി PCB യോടു ചേർത്തു വെച്ച് ദ്വാരത്തിലൂടെ പുറത്തു വരുന്ന ലെഗ്ഗുകൾശരിയായ ദിശയിൽ വളച്ചു വെച്ചു സോൾഡർ ചെയ്യുന്നതു വഴി അനാവശ്യമായി ലീഡുകൾ എക്സ്പോസ് ചെയ്തു നിൽക്കുന്നത് ഒഴിവാക്കുന്നു. FET കൾ AC Hum വളരെ എളുപ്പത്തിൽ സ്വീകരിക്കുന്നതുകൊണ്ടാണ് AC പവർ സപ്ലൈ സംവിധാനങ്ങൾ ഇത്തരം ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ അടുത്തായിരിക്കാൻ അനുവദിക്കാത്തത്. 

VFO കൾ പ്രവർത്തിക്കുന്ന വോൾട്ടേജ് കൃത്യമായും റെഗുലേറ്റ് ചെയ്തതായിരുന്നേ മതിയാവൂ. ഓസിലേറ്റർ സ്റ്റേജിലുണ്ടാവുന്ന ചെറിയ വോൾട്ടേജ് വ്യതിയാനം പോലും ഫ്രീക്വൻസി ഡ്രിഫ്റ്റിനും FM ട്രെയിസിനുമൊക്കെ കാരണമാകും. ഓസിലേറ്റർ സ്റ്റേജിലെ സപ്ലൈ വോൾട്ടേജ് ഒരു 1W സെനർ ഡയോഡ് കൊണ്ട് റെഗുലേറ്റ് ചെയ്താൽ ഈ പ്രശ്നത്തിനു പരിഹാരമാവും. ഒരു നിശ്ചിത VFO, അതേപോലെ അസ്സംബിൾ ചെയ്യുന്നതുകൊണ്ട് പ്രോട്ടോടൈപ്പ് വർക്കിൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്ന അതേ RF വോൾട്ടേജ്, ഔട്ട് പുട്ടിൽ ഉണ്ടാവണമെന്നില്ല. ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ hfe യിൽ വരുന്ന വ്യത്യാസം കൊണ്ടാണിത്. ഓസിലേറ്റർ ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ hfe കൂടിയതാണെങ്കിൽ VFO റ്റ്യൂൺ ചെയ്യുന്ന കപ്പാസിറ്റർ പല പൊസിഷ്യനുകളിൽ ആയിരുന്നാൽ കൂടി, റേഡിയോയുടെ ഒരു പോയിന്റിൽത്തന്നെ ബീറ്റ് നോട്ട് ഉണ്ടാക്കും. ഇതൊഴിവാക്കാൻ സോഴ്സിനും ഗ്രൗണ്ടിനും ഇടക്കുള്ള റസിസ്റ്ററിന്റെ മൂല്യം കൂട്ടിയാൽ മതിയാകും. ഒരു പരിധിയിൽക്കൂടുതൽ ഔട്ട് പുട്ട് വോൾട്ടേജ് കൂട്ടുകയോ കുറക്കുകയോ ചെയ്യാൻ പാടില്ല. 

റ്റ്യൂൺഡ് സർക്യുട്ടുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്ന ഫ്രീക്വൻസി ഡബ്ലർ VFO കളിൽ, ഓസിലേറ്റർ സിഗ്നൽ വോൾട്ടേജ് കുറഞ്ഞിരുന്നാൽ ഔട്ട് പുട്ടിൽ ഒന്നും തന്നെ എത്തിയിരുന്നിരിക്കണമെന്നില്ല. ഇതെല്ലാം കണക്കിലെടുത്ത്,  ട്രയൽ ആന്റ് എറർ രീതിയിൽ വേണം സോഴ്സിലെ റസിസ്റ്ററിന്റെ മൂല്യം നിർണ്ണയിക്കാൻ. ഇത് ഓരോ VFO യിലും വ്യത്യസ്ഥമായിരിക്കും. ഇക്കാര്യത്തിൽ ഒരു RF പ്രോബ് ഉപയോഗിച്ച് ഓസിലേറ്റർ ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ സോഴ്സിലെ RF വോൾട്ടേജ് അളന്ന് ഒരു സ്റ്റാന്റാർഡ് ലെവൽ നിലനിർത്തുകയാണ് എളുപ്പം. ചിത്രം C-7/3 ൽ ഒരു RF പ്രോബിന്റെ ചിത്രം കൊടുത്തിരിക്കുന്നു. 

സിഗ്നലിനെ ഒരു സ്റ്റേജിൽ നിന്നു മറ്റൊരു സ്റ്റേജുമായി ബന്ധിപ്പിക്കുന്ന കപ്ലിങ് രണ്ടു രീതിയിലുണ്ട്. റ്റൈറ്റ് കപ്ലിങിൽ പരമാവധി സിഗ്നൽ മാറ്റപ്പെടുന്നുവെങ്കിൽ ലൂസ് കപ്ലിങിൽ സിഗ്നലിന്റെ ചെറിയൊരംശം മാത്രമാവും മാറ്റപ്പെടുക. ഓസിലേറ്റർ കഴിഞ്ഞുള്ള കഴിഞ്ഞുള്ള സ്റ്റേജുകളിൽ ഉണ്ടാവുന്ന ലോഡിങ് എഫക്റ്റ് ഓസിലേറ്റർ സ്റ്റേജിൽ ഫ്രീക്വൻസി ഷിഫ്റ്റ് ഉണ്ടാക്കാതിരിക്കാൻ ബഫർ സ്റ്റേജ് മാത്രം മതിയാവണമെന്നില്ല. സ്റ്റബിലിറ്റി വർദ്ധിപ്പിക്കാൻ ഓസിലേറ്റർ ട്രാൻസിസ്റ്ററും ബഫർ ട്രാൻസിസ്റ്ററും ഒരേയിനമാക്കിയതുകൊണ്ടും, ഈ ലോഡിങ് ഇഫക്റ്റ് കുറയണമെന്നില്ല. ഇവിടെ ഇന്റർ സ്റ്റേജ് കപ്ലിങിനുള്ള കപ്പാസിറ്ററിന്റെ മൂല്യം പരമാവധി കുറഞ്ഞിരിക്കുന്നതു കാര്യമായ പ്രയോജനം ചെയ്യും. 

VFO അസ്സംബിൾ ചെയ്യാനുദ്ദേശിക്കുന്ന PCBയുടെ ക്വാളിറ്റി, പ്രിന്ററിന്റെ ഡിസൈൻ പ്രത്യേകതകൾ ഇവയും VFO യുടെ പ്രവർത്തനത്തെ സ്വാധീനിക്കുന്ന ഘടകങ്ങൾ തന്നെ. VFO യുടെ PCB, Glass Epoxy തന്നെയായിരിക്കാൻ നമുക്കു ശ്രദ്ധിക്കാം. പ്രിന്റുകൾ പ്രത്യേക ആംഗിളുകളിൽ ആയിരിക്കുന്നതിനേക്കാൾ curve style ൽ ദിശ മാറുന്നതായിരിക്കുന്നതാണു മെച്ചം.  VFO  കൾ DC വോൾട്ടേജിൽ പ്രവർത്തിപ്പിക്കുന്നതും 18 SWG യെങ്കിലും കനമുള്ള അലുമിനീയം ബോക്സിൽ പൂർണ്ണമായും കവർ ചെയ്തിരിക്കത്തക്ക രീതിയിൽ ഉറപ്പിക്കുന്നതും നല്ലതാണ്. അനാവശ്യമായ സ്വിച്ചുകളുമായും VFO ബന്ധിപ്പിക്കാതിരിക്കുന്നതും, കുറഞ്ഞ നീളമുള്ളതും ചലിക്കാതെ ഉറച്ചിരിക്കുന്നതുമായ വയറുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്നതും ഔട്ട് പുട്ടിൽ കൊയാക്സിയൽ കേബിൾ തന്നെ ഉപയോഗിക്കുന്നതും മികച്ച പ്രവർത്തനത്തിനുപകരിക്കും. VFO ക്കുള്ള പവർ സപ്ലൈ, VFO ബോർഡിൽ ഒരു RFC (Radio Frequeny Coil) യും ഒരു ഡീകപ്ലിങ് കപ്പാസിറ്ററും വരത്തക്ക രീതിയിലെ കണക്റ്റ് ചെയ്യാവൂ. RIT (Receiver Incremental tuning) സർക്യൂട്ടുകളാണെങ്കിലും, VFO ബോക്സിനുള്ളിൽ തന്നെയായിരിക്കണം ഉറപ്പിക്കേണ്ടത്. 

ട്രാൻസ്മിറ്റ് ചെയ്യുന്ന ഫ്രീക്വൻസിയും റിസീവ് ചെയ്യുന്ന ഫ്രിക്വൻസിയും രണ്ടായിരിക്കുന്ന സാഹചര്യത്തിൽ split operation നു സഹായിക്കുന്ന ഒരു സംവിധാനമാണ് RIT. ട്രാൻസ്മിഷൻ ഫ്രീക്വൻസിയാണെങ്കിൽ തന്നെയും ചിലപ്പോൾ AM സിഗ്നലുകൾ കേൾക്കുമ്പോൾ VFO ഓഫ് ചെയ്യേണ്ടിയും CW യാണു റിസീവ് ചെയ്യുന്നതെങ്കിൽ VFO ഫ്രീക്വൻസി അൽപ്പം ഷിഫ്റ്റ് ചെയ്യേണ്ടിയും വന്നേക്കാം. 

VFO ഓൺ/ഓഫ് ചെയ്യുമ്പോൾ സ്വിച്ച് കോണ്ടാക്റ്റുകളിൽ വരുന്ന വ്യത്യാസം തന്നെ ഫ്രീക്വൻസി ഷിഫ്റ്റിനു കാരണമാകും. അതുകൊണ്ട്, AM സ്വീകരിക്കുമ്പോഴും CW സ്വീകരിക്കുമ്പോഴും VFO ഫ്രീക്വൻസി ഷിഫ്റ്റ് ചെയ്യുകയാണുത്തമം. ചിത്രം C-7/4A യിൽ ഫ്രീക്വൻസി ഷിഫ്റ്റ് സർക്യുട്ട് കൊടുത്തിരിക്കുന്നു. 

ചിത്രം C-7/4A യിലെ 22 PF കപ്പാസിറ്റർ വ്യത്യാസം വരുത്തുന്നതിനനുസരിച്ച് ഷിഫ്റ്റ് ചെയ്യുന്ന ഫ്രീക്വൻസിയും മാറും. RIT മരൊരർത്ഥത്തിൽ VCO തത്ത്വമാണ് അനുവർത്തിക്കുന്നത്. ടാങ്ക് സർക്യുട്ടിൽ വേരിയബിൾ ഫ്രീക്വൻസി RIT എങ്ങിനെ ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നുവെന്ന് ചിത്രം   C-7/4B യിൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നു. 

വലരെ ചിലവുകുറഞ്ഞ ഒരു VFO നിർമ്മിക്കുകയാണ് സാധാരണയായി എല്ലാവരുടേയും ലക്ഷ്യം. ആദ്യകാല ഹാമുകൾ ഗുണനിലവാരം കുറഞ്ഞ യാതൊന്നും VFO നിർമ്മാണത്തിനുപയോഗിച്ചിരുന്നില്ല.  അത്തരത്തിലുള്ള ഒരു പ്രായേണ മികച്ച VFO സർക്യുട്ട് ചിത്രം   C-7/5 ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നു. 



ഒരു വയർലെസ്സ് കോണ്ടാക്റ്റിന് എന്തുമാത്രം RF പവർ ഉണ്ടാവണം? പ്രൊപ്പഗേഷൻ എഫിഷ്യൻസി അയണോസ്പിയറിന്റെ സ്ഥിതിക്കനുസരിച്ച്  മാറുമെന്നു മനസ്സിലാക്കിയിരുന്നാലും അഭിപ്രായസമന്വയമുള്ള ഒരുത്തരമുണ്ടാകാനിടയില്ല.  മുകളിൽ C-7/5 ൽ തന്നിരിക്കുന്ന VFO യുടെ ഔട്ട് പുട്ട് സിഗ്നൽ നൂറു കി. മീറ്റർ അകലെയെത്തിയതായി ലേഖകനു തന്നെ അറിയാം. ഒരു VFO യുടെ ഔട്ട് പുട്ട് പവറിനെ നിസ്സാരവത്കരിച്ചു കാണരുതെന്നാണു ഞാനുദ്ദേശിക്കുന്നത്. പരീക്ഷിക്കപ്പെട്ട ഒരു റ്റൂ സ്റ്റേജ് RF ആമ്പ്ലിഫയറിന്റെ ചിത്രം C-7/6 ൽ കൊടുത്തിരിക്കുന്നു. ഒരു നല്ല ലോ പവർ AM ട്രാൻസ്മിറ്ററിന്റെയത്ര ഭംഗിയായി ഈ ക്രിസ്റ്റൽ Tx പ്രവർത്തിച്ചു. 



L1 - 15 ചുറ്റുകൾ (SWG 24, 3/4" PVC റ്റ്യൂബിന്മേൽ), RFC1 - 150 ചുറ്റുകൾ (SWG 40, 1KW 1W റസിസ്റ്ററിന്മേൽ)

ഒരു VFO അസ്സംബിൾ ചെയ്യുന്ന ഒരാൾക്ക് സാധാരണ അഭിമുഖീകരിക്കേണ്ടി വരുന്ന പ്രശ്നങ്ങളും സാധാരണ ഉപയോഗത്തിലുള്ള മറ്റുതരം സർക്യൂട്ടുകളെപ്പറ്റിയും കൂടി മനസ്സിലാക്കിയിരുന്നാൽ മാത്രമേ ഹാം റേഡിയോ പ്രവർത്തനങ്ങളിൽ സുപ്രധാന പങ്കു വഹിക്കുന്ന VFO യെന്ന ഘടകത്തെ അൽപ്പമെങ്കിലും മനസ്സിലാക്കിയെന്നു പറയാൻ കഴിയൂ. 

അദ്ധ്യായം - 6                                                                   അദ്ധ്യായം - 8

No comments:

Post a Comment